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FDP55N06 |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 374 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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FDP55N06参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 60V 55A TO-220 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：55A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 27.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1510pF @ 25V 功率 - 最大值：114W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 矩形- 接头，插座DF11-24DS-2DSA(01) 嵌入式 - 微控制ZGP323LAP2808C Card EdgeABM11DRKF-S13 陶瓷电容器C2225C103JCGACTU PTC 可复位保险B59201P1080A062 数据采集 - 模数ADS8330IBPWRG4 RF 天线ANGPS-10MM RF 定向耦合器CP0805A0836DWTR 陶瓷电容器12101U3R3CAT2A PMIC - 稳压MIC2211-GPYMLTR |
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